型號:

 

ICP-98A型高密度等離子體刻蝕機是一種刻蝕速率高,加工精度高,損傷小的新一代先進刻蝕機。它是“九五”國家重點科技攻關項目“高密度等離子體刻蝕技術的研究”的成果。它由一組大功率的射頻激勵電源通過感應耦合在反應室內產生高密度等離子體,而由另一組功率較小的偏壓電源引導離子垂直于被刻蝕物體運動,從而達到各向異性和告訴地損傷刻蝕的目的:還可用于百微米級的MEMS Si深刻蝕和W的刻蝕。該機適用于科研和小規模生產。用F基氣體可刻蝕Si、Poly-Si、SiC、Si3N4 、SiO2、W、WSi、Mo、MoSi、Ta、TaSi、石英等。用O2還可以去膠。該機已售往北京、上海、杭州、蘇州、香港、南京、西安、成都、深圳等地幾十所高校、科研單位及高科技公司,得到用戶的一致好評。




配置及性能指標

1.基理電源:13.56MHz,1500W,帶自動匹配器和功率計一臺;

2.偏壓電源:500W,帶匹配器和功率計,帶定時器一臺;

3.真空系統:620升/秒分子泵、8升/秒機械泵個一臺,帶真空計;

4.反應腔尺寸:Φ300mm;

5.氣路系統:6路進氣(其中兩路可做清洗),4個質量流量計,4路顯示;

6.可加工片子尺寸:4英寸及小片

7.均勻性:±5%(4英寸硅片內)

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